超高分解能SEM（走査型電子顕微鏡）イメージングのメカニズムに関する探究ADVANCED SCIENCE
H. T. Chen, Y. B. Zou, B. Da, Z. J. Ding
スポンサー企業：Lam Research
本研究は、SE1/SE2二次電子の明確な定義とシミュレーションフレームワークを構築し 、走査型電子顕微鏡（SEM）における約0.8 nmクラスの分解能での結像に関する物理的メカニズムを解明し、形状変調されたSE2信号が超高分解能に対して決定的な寄与をしていることを証明しました。0.1～30 keVの入射電子条件における二次電子挙動の定量的なシミュレーションを通じて、「SE2は単なるバックグラウンド信号にすぎない」という従来の認識を修正し、電子ビーム結像分解能の物理的上限を再定義しました。このメカニズムレベルの解明は、半導体産業におけるCD-SEM 、Review-SEM、および欠陥検査装置のサブナノメートル分解能に向けた最適化を推進する上で貢献し、2 nm以降のプロセスノードにおけるクリティカルディメンション（寸法）測定や微小欠陥の識別を支える重要な基盤となります。