走査型電子顕微鏡（SEM）における二次電子および後方散乱電子のエネルギー識別

走査型電子顕微鏡（SEM）において、二次電子（SEs）および後方散乱電子（BSEs）のエネルギー識別は、従来取得が困難であった情報の取得を可能にします。二次電子については表面電位差の測定が期待され、後方散乱電子については埋もれた構造の観察が可能となります。このエネルギー識別は、「ファウンテン検出器（fountain detector）」およびエネルギーフィルターを備えたMCP（マイクロチャネルプレート）検出器によって実現されています。本発表では、これらの検出器の特性を説明するとともに、それらを用いて得られた以下の成果を紹介します：

（1）SEスペクトロスコピーによる多結晶Bドープダイヤモンド中の欠陥および不純物濃度の観察；

（2）BSEスペクトロスコピーによるAl多結晶中のBi粒子分布の観察；

（3）Al/Siショットキー界面におけるコンタミネーションの観察。