FEM補正四探針法による高精度ウェハ抵抗率測定

ノッチやオリエンテーションフラットなどの非標準形状を有する半導体ウェハにおいて、抵抗率を高精度に測定することは依然として課題である。特にウェハ端部付近では、形状の不連続性に起因する系統誤差が大きくなり、測定精度に大きな影響を及ぼす。標準的なJIS規格に基づく測定手法は、このような局所的な幾何学的変化を十分に考慮しておらず、エッジ近傍領域での高精度評価には限界がある。

本研究では、四探針プローブ配置とウェハ実際のエッジ形状を考慮した有限要素法（FEM）シミュレーションフレームワークを構築し、測定抵抗値に対する高分解能かつ信頼性の高い補正係数を算出する手法を提案する。FEMにより導出された補正係数を適用することで、ノッチ近傍や切断エッジ周辺を含む様々な形状のウェハに対して、再現性の高い高精度な抵抗率評価が可能となる。本講演では、FEMモデリング手法、実測データによる検証結果、および代表的な応用事例について紹介するとともに、関連特許についても簡潔に述べる。我々は、4探針法の構成 とウェーハの実際のエッジ形状をモデル化し、測定抵抗値に対する堅牢で高分解能な補正係数を計算する有限要素法（FEM）シミュレーションフレームワーク を提案します。このFEMから導出された補正により、ノッチやカットエッジに近い領域を含む、様々な形状のウェーハ全体にわたって、正確で再現性の高い抵抗率評価が可能になります。

本講演では、モデリング手法、実測による検証、および代表的な適用事例について説明し、関連特許について簡潔に議論します。