走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体デバイス・材料の微細構造の高分解能評価

走査型非線形誘電率顕微鏡法(SNDM)は強誘電分極分布を可視化する顕微鏡として開発された．誘電体の非線形誘電現象は極めて小さく，それを検出するためSNDMは開発当初から10⁻²²F/√Hzという世界最高の静電容量変化を検出できる感度を持っており半導体計測にも極めて有効である．

講演では簡単に計測原理を述べた後MOS界面解析・原子層半導体のキャリア分布観測を中心として最新の研究成果について解説を行う。